效应PowerPAK111.9SISS
晶体管效应895830V
擦写带电存储器芯片
碳化硅二极管F4C10120A33A
效应PowerPAK28.61212
沟道碳化硅IMZ120R090M1H效应
三极晶体管PMBT3904RAZ200mA
效应10250D2PAk250V
效应SUP60V50A
晶体管效应NCE01H13100V
效应50N03DFPDFN50A
晶体管JMTE3002B效应180A
晶体管效应60V18A
RSR020N06TL效应60V346
晶体管效应NCE55H12120A
效应667925230V
效应AGMH606H263
效应1757921.530V
AP150N03G效应PDFN150A
VBMB2152M效应150V220
效应650V15A220
IRLI3705NPBF效应52A55V
效应300mANTJD5121
晶体管CJAC13TH06效应PQFNWB
晶体管效应SOIC9926
晶体管效应ZXMHC30V
存储器芯片FLASHNOR
存储器eMMC嵌入式芯片
STD2N62K3效应620VDPAK
存储器存取71024S15TYGI8静态
存储器存取静态随机
存储器芯片FLASH2Gbit
晶体管效应VBL2610N60V
三极晶体管100mA5201
碳化硅G3R450MT17D效应247
三极晶体管FZT658500mA
晶体管效应18N50F18A
三极晶体管BC858BHZGT116100mA
沟道碳化硅SCT10N120效应
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